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優(yōu)勢供應*SYSTEM ELECTRIC晶閘管
更新時間:2021-01-27
產(chǎn)品型號:CT2005-50-400/50
描述:優(yōu)勢供應*SYSTEM ELECTRIC晶閘管
江蘇邱成機電總部位于德國Braunschweig市,源頭采購零中間環(huán)節(jié),享受歐洲本土企業(yè)待遇
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CT2005-50-400/50優(yōu)勢供應*SYSTEM ELECTRIC晶閘管的詳細資料:

優(yōu)勢供應*SYSTEM ELECTRIC晶閘管

優(yōu)勢供應*SYSTEM ELECTRIC晶閘管

江蘇邱成機電有限公司
專業(yè)采購歐洲工控產(chǎn)品、備品備件 。
優(yōu)勢供應品牌及型號:伍爾特五金工具及化學品,哈恩庫博,蓋米閥門,施邁賽開關,IMM噴嘴,Ergoswiss液壓升降系統(tǒng),Socla閥,kobold   科寶流量計開關等,SBS平衡裝置,ODU連接器,SCHURTER  碩特濾波器等,amf 夾具,菲尼克斯魏格米勒端子連接器,本特利  英維思的模塊卡件等  

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947年12月,美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組,研制出一種點接觸型的鍺晶體管。晶體管的問世,是20世紀的一項重大發(fā)明,是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后,人們就能用一個小巧的、消耗功率低的電子器件,來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的誕生吹響了號角。
電力晶體管電力晶體管
20世紀初的10年,通信系統(tǒng)已開始應用半導體材料。20世紀上半葉,在無線電愛好者中廣泛流行的礦石收音機,就采用礦石這種半導體材料進行檢波。半導體的電學特性也在電
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話系統(tǒng)中得到了應用。
晶體管的發(fā)明,早可以追溯到1929年,當時工程師利蓮費爾德就已經(jīng)取得一種晶體管的。但是,限于當時的技術水平,制造這種器件的材料達不到足夠的純度,而使這種晶體管無法制造出來。
由于電子管處理高頻信號的效果不理想,人們就設法改進礦石收音機中所用的礦石觸須式檢波器。在這種檢波器里,有一根與礦石(半導體)表面相接觸的金屬絲(像頭發(fā)一樣細且能形成檢波接點),它既能讓信號電流沿一個方向流動,又能阻止信號電流朝相反方向流動。在第二次世界大戰(zhàn)爆發(fā)前夕,貝爾實驗室在尋找比早期使用的方鉛礦晶體性能更好的檢波材料時,發(fā)現(xiàn)摻有某種極微量雜質(zhì)的鍺晶體的性能不僅優(yōu)于礦石晶體,而且在某些方面比電子管整流器還要好。
在第二次世界大戰(zhàn)期間,不少實驗室在有關硅和鍺材料的制造和理論研究方面,也取得了不少成績,這就為晶體管的發(fā)明奠定了基礎。
為了克服電子管的局限性,第二次世界大戰(zhàn)結(jié)束后,貝爾實驗室加緊了對固體電子器件的基礎研究。肖克萊等人決定集中研究硅、鍺等半導體材料,探討用半導體材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天,貝爾實驗室成立了以肖克萊為首的半導體研究小組,成員有布拉頓、巴丁等人。布拉頓早在1929年就開始在這個實驗室工作,長期從事半導體的研究,積累了豐富的經(jīng)驗。他們經(jīng)過一系列的實驗和觀察,逐步認識到半導體中電流放大效應產(chǎn)生的原因。布拉頓發(fā)現(xiàn),在鍺片的底面接上電極,在另一面插上細針并通上電流,然后讓另一根細針盡量靠近它,并通上微弱的電流,這樣就會使原來的電產(chǎn)生很大的變化。微弱電流少量的變化,會對另外的電產(chǎn)生很大的影響,這就是“放大”作用。
布拉頓等人,還想出有效的辦法,來實現(xiàn)這種放大效應。他們在發(fā)射極和基極之間輸入一個弱信號,在集電極和基極之間的輸出端,就放大為一個強信號了。在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,上述晶體三極管的放大效應得到廣泛的應用。
巴丁和布拉頓初制成的固體器件的
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放大倍數(shù)為50左右。不久之后,他們利用兩個靠得很近(相距0.05毫米)的觸須接點,來代替金箔接點,制造了“點接觸型晶體管”。1947年12月,這個世界上早的實用半導體器件終于問世了,在*試驗時,它能把音頻信號放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。
在為這種器件命名時,布拉頓想到它的電阻變換特性,即它是靠一種從“低電阻輸入”到“高電阻輸出”的轉(zhuǎn)移電流來工作的,于是取名為trans-resistor(轉(zhuǎn)換電阻),后來縮寫為transistor,中文譯名就是晶體管。
由于點接觸型晶體管制造工藝復雜,致使許多產(chǎn)品出現(xiàn)故障,它還存在噪聲大、在功率大時難于控制、適用范圍窄等缺點。為了克服這些缺點,肖克萊提出了用一種“整流結(jié)”來代替金屬半導體接點的大膽設想。半導體研究小組又提出了這種半導體器件的工作原理。
1950年,只“PN結(jié)型晶體管”問世了,它的性能與肖克萊原來設想的*一致。今天的晶體管,大部分仍是這種PN結(jié)型晶體管。(所謂PN結(jié)就是P型和N型的結(jié)合處。P型多空穴。N型多電子。)
1956年,肖克利、巴丁、布拉頓三人,因發(fā)明晶體管同時榮獲諾貝爾物理學獎。

晶體管的發(fā)展

1)真空三極管
1939年2月,Bell實驗室有一個偉大的發(fā)現(xiàn),硅p_n結(jié)的誕生。1942年,普渡大學Lark_Horovitz的課題組中一個名叫Seymour Benzer的學生,發(fā)現(xiàn)鍺單晶具有其它半導體所不具有的優(yōu)異的整流性能。這兩個發(fā)現(xiàn)滿足了美國政府的要求,也為隨后晶體管的發(fā)明打下了伏筆 [2]  。
2)點接觸晶體管
1945年二戰(zhàn)結(jié)束,Shockley等發(fā)明的點接觸晶體管成為人類微電子革命的先聲。為此,Shockley為Bell遞交了個晶體管的專
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利申請。終還是獲得了個晶體管利的 [2]  。
3)雙極型與單極型晶體管
Shockley在雙極型晶體管的基礎上,于1952年進一步提出了單極結(jié)型晶體管的概念,即今天所說的結(jié)型晶體管。其結(jié)構(gòu)與pnp或npn雙極型晶體管類似,但在p_n材料的界面存在一個耗盡層,以使柵極與源漏導電溝道之間形成一個整流接觸。同時兩端的半導體作為柵極。通過柵極調(diào)節(jié)源漏之間電流的大小 [2]  。
4)硅晶體管
仙童半導體由一個幾人的公司成長為一個擁有12000個職工的大企業(yè) [2]  。
5)集成電路
在1954年硅晶體管發(fā)明之后,晶體管的巨大應用前景已經(jīng)越來越明顯??茖W家的下一個目標便是如何進一步把晶體管、導線及其它器件高效地連接起來 [2]  。
6)場效應晶體管與MOS管
1961年,MOS管的誕生。1962年,在RCA器件集成研究組工作的Stanley, Heiman和Hofstein等發(fā)現(xiàn),可以通過擴散與熱氧化在Si基板上形成的導電帶、高阻溝道區(qū)以及氧化層絕緣層來構(gòu)筑晶體管,即MOS管 [2]  。
7)微處理器(CPU)
英特爾公司在創(chuàng)立之初,目光仍然集中在內(nèi)存條上。Hoff把處理器的全部功能集成在一塊芯片上,再加上存儲器;這就是世界上的片微處理器—4004(1971年)。4004的誕生標志著一個時代的開始,隨后英特爾在微處理器的研究中一發(fā)不可收拾,
DW-AS-503-M5
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Hydreco Hydraulics GmbH 
KV06102 TKV-1V-22-QUAD
 [2]  。
1989年,英特爾推出了80486處理器。1993年,英特爾研制成功新一代處理器,本來按照慣常的命名規(guī)律是80586。1995年英特爾推出Pentium_Pro。1997年英特爾發(fā)布了PentiumII處理器。1999年英特爾發(fā)布了Pentium III處理器。2000年發(fā)布了Pentium 4處理器 [2]  。

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